将场终止层与高电阻率的晶圆衬底结合起来，能使器件的厚度减少大约三分之一，同时保持相同的阻断电压。随着晶圆厚度的降低，导通损耗和关断损耗也可进一步降低。场终止层掺杂度低，因此不会影响背面植入的低掺杂p发射极。为了实现RC-IGBT，二极管的部分n掺杂背面阴极将与IGBT集电极下面的p发射极结合起来。

    RC-IGBT的沟槽栅概念所基于的技术与传统的TrenchStop-IGBT相同，但针对软开关应用所需的超低饱和压降Vce(sat)进行了优化，比如电磁炉或微波炉应用。数以万计的沟槽栅通过金属(铝)相连，该金属铝层同时也是连线区。栅极和发射极之间的区域和端子被嵌入绝缘亚胺薄膜里。比较新的投产型RC2-IGBT，其沟槽栅极更小，与标准TrenchStop-IGBT相比要多出150%的沟槽栅单元。基于TrenchStop技术的比较新一代RC2-IGBT的沟槽栅截面图。

超薄晶圆技术

    由于导通电压和关断损耗在很大程度上取决于晶圆的厚度，因此需要做更薄的IGBT。显示了英飞凌600/1,200V IGBT和EMCON二极管的晶圆厚度趋势。对于新型1,200V RC-IGBT而言，120um厚度晶圆将是标准工艺。这需要进行复杂的晶圆处理，包括用于正面和背面的特殊处理设备。将晶圆变薄可通过晶圆打磨和湿式化学蚀刻工艺实现。

新型RC2-IGBT的优势

    来自英飞凌的新型RC2-IGBT系列产品是以成熟的TrenchStop技术为基础的，具有超低饱和压降。此外，IGBT还集成了一个功能强大且正向电压超低的二极管。

    新型RC2-IGBT的优势是针对软开关应用(比如微波炉、电磁炉和感应加热型电饭煲)进行优化的定制解决方案。与以前的器件相比，RC2-IGBT可提升性能，降低饱和压降损耗。这可导致非常低的总体损耗，因此所需的散热器更小。另外一个优势是比较大结温被提高到TvJ(max)=175℃，比普通IGBT芯片提高了25℃。这种结温已通过TO-247无铅封装的应用验证。